移動(dòng)端
直播推薦
回放
回放
企業(yè)動(dòng)態(tài)
- 北京華測(cè)試驗(yàn)儀器有限公司配合某檢測(cè)機(jī)構(gòu)搭建的絕緣材料實(shí)驗(yàn)室
- 生態(tài)環(huán)境局項(xiàng)目案例：便攜式多參數(shù)水質(zhì)測(cè)定儀的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)借鑒
- 【客戶案例】生態(tài)環(huán)境局的法寶 —— 便攜式多參數(shù)水質(zhì)分析儀的生態(tài)價(jià)值
- 佳化化學(xué)（茂名）有限公司采購(gòu)佳航的卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀 JH-V3
- 吉林省力盛制藥有限公司采購(gòu)佳航的顯微熔點(diǎn)儀JHX-5Plus
- 山東金城醫(yī)藥有限公司采購(gòu)佳航的全自動(dòng)密度計(jì)Digipol-D50
- 祝賀2023年全國(guó)機(jī)械行業(yè)職業(yè)技能競(jìng)賽―“三豐杯” 在浙江杭州順利舉行
- 2023年河北省全省無(wú)損檢測(cè)技能比武暨能力對(duì)比 完滿收關(guān)
推薦展會(huì)
KRI 離子源應(yīng)用于超高真空磁控濺鍍?cè)O(shè)備
KRI 離子源應(yīng)用于超高真空磁控濺鍍?cè)O(shè)備 UHV Sputter
上海伯東代理美國(guó) KRI 離子源應(yīng)用于超高真空磁控濺鍍?cè)O(shè)備 UHV Sputter 實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量薄膜!
超高真空環(huán)境的特征為其真空壓力低于 10-8至10-12托, 且在化學(xué), 物理和工程領(lǐng)域十分常見(jiàn). 超高真空環(huán)境對(duì)于科學(xué)研究非常重要, 因?qū)嶒?yàn)通常要求在整個(gè)實(shí)驗(yàn)的過(guò)程中, 表面應(yīng)保持無(wú)污染狀態(tài)并可使用較低能量的電子和離子的實(shí)驗(yàn)技術(shù)使用, 而不會(huì)受到氣相散射的干擾并可以在這樣超高真空環(huán)境下使用濺鍍系統(tǒng)以提供高質(zhì)量的薄膜.
針對(duì)超高真空和高溫加熱設(shè)計(jì)的基板旋轉(zhuǎn)鍍膜機(jī)構(gòu), 使用陶瓷培林旋轉(zhuǎn), 并在內(nèi)部做水冷, 來(lái)保護(hù)機(jī)構(gòu)以確保長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)轉(zhuǎn)的穩(wěn)定.
通過(guò)使用上海伯東 KRI 離子源可實(shí)現(xiàn)基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度, 并且離子源在材料沉積過(guò)程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.
濺鍍腔中在載臺(tái)部分可獨(dú)立施打偏壓, 對(duì)其基板進(jìn)行清潔與增加材料的附著性等功能.
上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 參數(shù):
型號(hào) | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 陽(yáng)極 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 |
離子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長(zhǎng)度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直徑 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 | ||||
上海伯東美國(guó) KRI 提供霍爾離子源, 考夫曼離子源和射頻離子源, 歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)利. 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.
若您需要進(jìn)一步的了解 KRI 離子源, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來(lái)源：儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來(lái)源：儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來(lái)源（非儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來(lái)源，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題，請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
浙公網(wǎng)安備 33010602002722號(hào)
第62屆中國(guó)高等教育博覽會(huì)
展會(huì)城市：重慶市展會(huì)時(shí)間：2024-11-15