直播推薦
更多>企業(yè)動(dòng)態(tài)
更多>- 北京華測試驗(yàn)儀器有限公司配合某檢測機(jī)構(gòu)搭建的絕緣材料實(shí)驗(yàn)室
- 生態(tài)環(huán)境局項(xiàng)目案例:便攜式多參數(shù)水質(zhì)測定儀的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)借鑒
- 【客戶案例】生態(tài)環(huán)境局的法寶 —— 便攜式多參數(shù)水質(zhì)分析儀的生態(tài)價(jià)值
- 佳化化學(xué)(茂名)有限公司采購佳航的卡爾費(fèi)休水分測定儀 JH-V3
- 吉林省力盛制藥有限公司采購佳航的顯微熔點(diǎn)儀JHX-5Plus
- 山東金城醫(yī)藥有限公司采購佳航的全自動(dòng)密度計(jì)Digipol-D50
- 祝賀2023年全國機(jī)械行業(yè)職業(yè)技能競賽―“三豐杯” 在浙江杭州順利舉行
- 2023年河北省全省無損檢測技能比武暨能力對比 完滿收關(guān)
推薦展會(huì)
更多>KRi 離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實(shí)現(xiàn)輔助鍍膜 IBAD.
e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)加裝 KRi 離子源作用
通過向生長的薄膜中添加能量來增強(qiáng)分子動(dòng)力學(xué), 以增加表面和原子/分子的流動(dòng)性, 從而導(dǎo)致薄膜的致密化.
通過向生長薄膜中添加活性離子來增強(qiáng)薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到化學(xué)計(jì)量完整材料.
使用美國 KRi 考夫曼離子源可以實(shí)現(xiàn)
增強(qiáng)和控制薄膜性能, 薄膜致密化的改進(jìn), 控制薄膜化學(xué)計(jì)量, 提高折射率, 降低薄膜應(yīng)力, 控制薄膜微觀結(jié)構(gòu)和方向, 提高薄膜溫度和環(huán)境穩(wěn)定性, 增加薄膜附著力, 激活表面, 薄膜界面和表面平滑, 降低薄膜吸收和散射, 增加硬度和耐磨性.
KRi KDC 考夫曼離子源典型案例:
設(shè)備: e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
離子源型號(hào): KDC 75
應(yīng)用: IBAD 輔助鍍膜, 在玻璃上鍍上高反射率膜 (光柵的鍍膜)
離子源對工藝過程的優(yōu)化: 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進(jìn)行低溫處理, 簡化反應(yīng)沉積
上海伯東美國 KRi 離子源適用于各類沉積系統(tǒng) (電子束蒸發(fā)或熱蒸發(fā), 離子束濺射, 分子束外延, 脈沖激光沉積), 實(shí)現(xiàn) IBAD 輔助鍍膜
美國 KRi KDC 考夫曼型離子源技術(shù)參數(shù):
型號(hào) | KDC 10 | KDC 40 | KDC 75 | KDC 100 | KDC 160 |
Discharge 陽極 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 |
離子束流 | >10 mA | >100 mA | >250 mA | >400 mA | >650 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 1 cm Φ | 4 cm Φ | 7.5 cm Φ | 12 cm Φ | 16 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 1-5 sccm | 2-10 sccm | 2-15 sccm | 2-20 sccm | 2-30 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 11.5 cm | 17.1 cm | 20.1 cm | 23.5 cm | 25.2 cm |
直徑 | 4 cm | 9 cm | 14 cm | 19.4 cm | 23.2 cm |
中和器 | 燈絲 |
上海伯東美國 KRi 離子源 KDC 系列適用于標(biāo)準(zhǔn)和新興材料工藝. 在原子水平上工作的能力使 KDC 離子源能夠有效地設(shè)計(jì)具有納米精度的薄膜和表面. 無論是密度壓實(shí), 應(yīng)力控制, 光學(xué)傳輸, 電阻率, 光滑表面, 提高附著力, 垂直側(cè)壁和臨界蝕刻深度, KDC 離子源都能產(chǎn)生有益的材料性能. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.
上海伯東同時(shí)提供 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)更高質(zhì)量的設(shè)備.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.
若您需要進(jìn)一步的了解考夫曼離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅小姐
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源(非儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對其真實(shí)性負(fù)責(zé),不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
第62屆中國高等教育博覽會(huì)
展會(huì)城市:重慶市展會(huì)時(shí)間:2024-11-15