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KRi 離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用

來源:伯東企業(yè)(上海)有限公司   2023年09月19日 11:12  

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實(shí)現(xiàn)輔助鍍膜 IBAD.

離子源
 

e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)加裝 KRi 離子源作用
通過向生長的薄膜中添加能量來增強(qiáng)分子動(dòng)力學(xué), 以增加表面和原子/分子的流動(dòng)性, 從而導(dǎo)致薄膜的致密化.
通過向生長薄膜中添加活性離子來增強(qiáng)薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到化學(xué)計(jì)量完整材料.

使用美國 KRi 考夫曼離子源可以實(shí)現(xiàn)
增強(qiáng)和控制薄膜性能, 薄膜致密化的改進(jìn), 控制薄膜化學(xué)計(jì)量, 提高折射率, 降低薄膜應(yīng)力, 控制薄膜微觀結(jié)構(gòu)和方向, 提高薄膜溫度和環(huán)境穩(wěn)定性, 增加薄膜附著力, 激活表面, 薄膜界面和表面平滑, 降低薄膜吸收和散射, 增加硬度和耐磨性.


KRi KDC 考夫曼離子源典型案例:
設(shè)備: e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
離子源型號(hào): KDC 75
應(yīng)用: IBAD 輔助鍍膜, 在玻璃上鍍上高反射率膜 (光柵的鍍膜)
離子源對工藝過程的優(yōu)化: 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進(jìn)行低溫處理, 簡化反應(yīng)沉積

上海伯東美國  KRi 離子源適用于各類沉積系統(tǒng) (電子束蒸發(fā)或熱蒸發(fā), 離子束濺射, 分子束外延, 脈沖激光沉積), 實(shí)現(xiàn) IBAD 輔助鍍膜

IBAD輔助鍍膜
 

美國 KRi KDC 考夫曼型離子源技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

KDC 10

KDC 40

KDC 75

KDC 100

KDC 160

Discharge 陽極

DC 電流

DC 電流

DC 電流

DC 電流

DC 電流

離子束流

>10 mA

>100 mA

>250 mA

>400 mA

>650 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

1 cm Φ

4 cm Φ

7.5 cm Φ

12 cm Φ

16 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射


流量

1-5 sccm

2-10 sccm

2-15 sccm

2-20 sccm

2-30 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長度

11.5 cm

17.1 cm

20.1 cm

23.5 cm

25.2 cm

直徑

4 cm

9 cm

14 cm

19.4 cm

23.2 cm

中和器

燈絲

 

上海伯東美國 KRi 離子源 KDC 系列適用于標(biāo)準(zhǔn)和新興材料工藝. 在原子水平上工作的能力使 KDC 離子源能夠有效地設(shè)計(jì)具有納米精度的薄膜和表面. 無論是密度壓實(shí), 應(yīng)力控制, 光學(xué)傳輸, 電阻率, 光滑表面, 提高附著力, 垂直側(cè)壁和臨界蝕刻深度, KDC 離子源都能產(chǎn)生有益的材料性能. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.

上海伯東同時(shí)提供 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)更高質(zhì)量的設(shè)備.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

若您需要進(jìn)一步的了解考夫曼離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅小姐 


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