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案例分享 | 廣西大學(xué)林濤團(tuán)隊(duì):高效零維無(wú)鉛鈣鈦礦閃爍體用于X射線成像

來(lái)源:北京卓立漢光儀器有限公司   2024年08月19日 16:08  

近日,廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院林濤博士團(tuán)隊(duì)提出了一種新的常溫液相方法實(shí)現(xiàn)了零維無(wú)鉛類(lèi)鈣鈦礦單晶(Cs3Cu2X5 (X = Cl, I))的快速結(jié)晶。這一類(lèi)晶體被用于構(gòu)造高效的閃爍體,并用于實(shí)現(xiàn)X射線成像探測(cè)。

閃爍體材料在醫(yī)療診斷、核物理和安全檢測(cè)等領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用。傳統(tǒng)閃爍體如碘化銫(CsI)和摻鈰釔鋁石榴石(LYSO)雖然性能優(yōu)異,但其合成條件苛刻,成本高昂。近年來(lái),鉛基鈣鈦礦納米晶體(如CsPbX3)因其低成本、低溫合成性和優(yōu)異的光電性能被視為潛在替代材料。然而,鉛的毒性和材料本身的不穩(wěn)定性限制了其廣泛應(yīng)用。

針對(duì)上述挑戰(zhàn),廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院林濤博士團(tuán)隊(duì)研究人員探索采用采用無(wú)鉛的銅(I)鹵化物構(gòu)造新型閃爍體。與納米晶體相比,單晶銅(I)鹵化物單晶在結(jié)構(gòu)缺陷密度低、發(fā)光光子散射效應(yīng)小等方面具有顯著優(yōu)勢(shì),這對(duì)實(shí)現(xiàn)低劑量高分辨率X射線成像至關(guān)重要。該工作以“Fast solution-phase growth of centimeter-sized Cs3Cu2X5 (X = Cl, I) single crystals for high-performance scintillators”為題發(fā)表在期刊Journal of Materials Chemistry C上。

img1 

研究團(tuán)隊(duì)分別采用了甲酸輔助的改進(jìn)溶液冷卻(STL)法和油酸輔助的逆溫度結(jié)晶(ITC)法來(lái)合成Cs3Cu2Cl5和Cs3Cu2I5單晶。通過(guò)精心選擇溶劑、添加劑和溫度控制策略,成功在24小時(shí)內(nèi)合成出厘米級(jí)的高質(zhì)量單晶。這些單晶在光學(xué)和閃爍性能方面表現(xiàn)優(yōu)異,尤其是在X射線成像測(cè)試中展現(xiàn)出高吸收效率和明亮的輻射發(fā)光(RL)。

img2 

圖1. (a) Cs3Cu2Cl5單晶和(b) Cs3Cu2I5單晶的合成過(guò)程。(c) Cs3Cu2Cl5單晶和(d) Cs3Cu2I5單晶形貌。在302 nm紫外光照射下(e) Cs3Cu2Cl5單晶和 (f) Cs3Cu2I5單晶照片。(g) Cs3Cu2Cl5-PMMA薄膜和(h) Cs3Cu2I5-PMMA薄膜外觀。302 nm紫外照射下(i) Cs3Cu2Cl5-PMMA薄膜和 (j) Cs3Cu2I5-PMMA薄膜熒光效果。

img3 

圖2. (a) Cs3Cu2Cl5、Cs3Cu2I5、CsPbBr3、硅(Si)和CsI(Tl)的吸收系數(shù)曲線與光子能量的關(guān)系。(b) Cs3Cu2Cl5、Cs3Cu2I5、CsPbBr3和CsI(Tl)在50 keV X射線下的衰減效率;(c) Cs3Cu2Cl5和(d) Cs3Cu2I5的光致發(fā)光(PL)光譜、放射光致發(fā)光(RL)光譜。(e) 連續(xù)X射線輻照的穩(wěn)定性。(f) 暴露于空氣后的穩(wěn)定性。

基于這些高性能單晶,研究團(tuán)隊(duì)成功制備了均勻的閃爍屏,空間分辨率高達(dá)6.5線對(duì)/毫米。研究結(jié)果顯示,Cs3Cu2Cl5和Cs3Cu2I5單晶有望成為新型低成本、高性能的綠色和藍(lán)色閃爍體,適用于實(shí)際X射線成像。該研究為快速合成適用于實(shí)際應(yīng)用的Cs3Cu2X5單晶提供了重要指導(dǎo)。

img4 

圖3. (a) X射線成像系統(tǒng)示意圖。 (b)、(c) 使用Cs3Cu2Cl5-PMMA薄膜和Cs3Cu2I5-PMMA作為閃爍體拍攝的X射線成像圖像。(d) X射線成像的空間分辨率測(cè)量結(jié)果。

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DOI: 10.1039/d3tc03871h

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文中X射線輻射發(fā)光(RL)數(shù)據(jù)采用卓立漢光公司的OmniFluo990穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜儀上配置X射線輻射發(fā)光樣品倉(cāng)測(cè)試得到。第二代X射線輻射發(fā)光樣品倉(cāng)具有以下特點(diǎn):

·滿(mǎn)足國(guó)標(biāo)《低能射線裝置放射防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)》(GBZ115-2023)的要求的整機(jī)設(shè)計(jì)方案,為實(shí)驗(yàn)安全護(hù)航。

·提供光管控制,輻射表控制功能,無(wú)需實(shí)驗(yàn)人員監(jiān)測(cè),即可完成長(zhǎng)時(shí)間的,復(fù)雜的實(shí)驗(yàn)方案。

·反射和透射式光譜測(cè)試可選,預(yù)留溫控臺(tái)和定制積分球空間,可實(shí)現(xiàn)變溫測(cè)試和輻射發(fā)光強(qiáng)度測(cè)試。     

img5 

 OmniFluo990 & X 射線輻射發(fā)光樣品倉(cāng)

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