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【儀器網(wǎng) 行業(yè)應(yīng)用】掃描透射電子顯微鏡既有透射電子顯微鏡又有掃描電子顯微鏡的顯微鏡。STEM用電子束在樣品的表面掃描，通過電子穿透樣品成像。STEM技術(shù)要求較高，要非常高的真空度，并且電子學(xué)系統(tǒng)比TEM和SEM都要復(fù)雜。
儀器優(yōu)點(diǎn)：
1、利用掃描透射電子顯微鏡可以觀察較厚的試樣和低襯度的試樣。
2、利用掃描透射模式時(shí)物鏡的強(qiáng)激勵(lì)，可以實(shí)現(xiàn)微區(qū)衍射。
3、利用后接能量分析器的方法可以分別收集和處理彈性散射和非彈性散射電子。
4、進(jìn)行高分辨分析、成像及生物大分子分析。
應(yīng)用領(lǐng)域：
1、掃描電鏡追求固體物質(zhì)高分辨的形貌，形態(tài)圖像(二次電子探測(cè)器SEI)-形貌分析(表面幾何形態(tài)，形狀，尺寸)
2、顯示化學(xué)成分的空間變化，基于化學(xué)成分的鑒定---化學(xué)成分像分布，微區(qū)化學(xué)成分分析
(1)用x射線能譜儀或波譜采集特征x射線信號(hào)，生成與樣品形貌相對(duì)應(yīng)的，元素面分布圖或者進(jìn)行定點(diǎn)化學(xué)成分定性定量分析，相鑒定。
(2)利用背散射電子BSE)基于平均原子序數(shù)(一般和相對(duì)密度相關(guān))反差，生成化學(xué)成分相的分布圖像；
(3)利用陰極熒光，基于某些痕量元素(如過渡金屬元素，稀土元素等)受電子束激發(fā)的光強(qiáng)反差，生成的痕量元素分布圖像。
(4)利用樣品電流，基于平均原子序數(shù)反差，生成的化學(xué)成分相的分布圖像，該圖像與背散。
(5)利用俄歇電子，對(duì)樣品物質(zhì)表面1nm表層進(jìn)行化學(xué)元素分布的定性定理分析，
3、在半導(dǎo)體器件(IC)研究中的特殊應(yīng)用：
(1)利用電子束感生電流EBIC進(jìn)行成像，可以用來進(jìn)行集成電路中pn結(jié)的定位和損傷研究
(2)利用樣品電流成像，結(jié)果可顯示電路中金屬層的開、短路，因此電阻襯度像經(jīng)常用來檢查金屬布線層、多晶連線層、金屬到硅的測(cè)試圖形和薄膜電阻的導(dǎo)電形式。
(3)利用二次電子電位反差像，反映了樣品表面的電位，從它上面可以看出樣品表面各處電位的高低及分布情況，特別是對(duì)于器件的隱開路或隱短路部位的確定尤為方便。
4、利用背散射電子衍射信號(hào)對(duì)樣品物質(zhì)進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)(原子在晶體中的排列方式)，晶體取向分布分析，基于晶體結(jié)構(gòu)的相鑒定。
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2024第八屆河北國際工業(yè)博覽會(huì)
展會(huì)城市：石家莊市展會(huì)時(shí)間：2024-10-15