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更新時(shí)間：2024-11-20 09:04:13瀏覽次數(shù)：19評(píng)價(jià)
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CHI 1742nm檢測(cè)專(zhuān)用激光器
CHI 1742nm檢測(cè)專(zhuān)用激光器采用量子阱結(jié)構(gòu)的DFB激光器，內(nèi)置半導(dǎo)體制冷器，先進(jìn)的激光焊接工藝實(shí)現(xiàn)蝶形（butterfly）尾纖式封裝，結(jié)構(gòu)緊湊，體積小，在光纖通信領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用；半導(dǎo)體制冷器高精度溫度控制下，激光器功率高穩(wěn)定、波長(zhǎng)高穩(wěn)定的優(yōu)勢(shì)，使得激光器在光纖傳感器領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
〖應(yīng)用〗
n 光纖氣體檢測(cè)系統(tǒng)
n 氣體檢測(cè)用無(wú)源器件生產(chǎn)檢測(cè)
〖特性〗
n 采用進(jìn)口量子阱結(jié)構(gòu)DFB半導(dǎo)體激光器芯片
n 波長(zhǎng)穩(wěn)定
n 高輸出功率
n 氣密性溫控封裝
n 封裝形式：BF14 尾纖式、TF8 空間式、TO39 及其他定制
〖額定極限工作條件〗
參 數(shù) | 符號(hào) | 參數(shù)值 | 單 位 |
激光二極管正向電流 | If(LD) | 100 | mA |
激光二極管反向電壓 | Vr(LD) | 2 | V |
背光探測(cè)器工作電流 | If(PD) | 2 | mA |
背光探測(cè)器反向電壓 | Vr(PD) | 20 | V |
致冷器工作電流 | ITEC | 2.4 | A |
致冷器工作電壓 | VTEC | 2.9 | V |
工作溫度 | Topr | -20～+70 | ℃ |
儲(chǔ)存溫度 | Tstg | -40～+85 | ℃ |
引線(xiàn)焊接溫度/時(shí)間 | Tsld | 260/10 | ℃/s |
〖技術(shù)參數(shù)：（測(cè)試環(huán)境溫度為25℃）〗
參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
出光功率 | PO | CW | 3 | 10 | mW | |
閾值電流 | Ith | CW | ? | 12 | 18 | mA |
工作電流 | Iop | CW, 5mW | - | ? | 100 | mA |
工作電壓 | Vop | CW, 5mW | ? | 1.5 | 2.0 | V |
斜率效率 | η | CW, 5mW | 0.05 | 0.1 | ? | mW/mA |
峰值波長(zhǎng) | λp | CW, 5mW@25℃ | λc -1 | λc | λc+ 1 | nm |
波長(zhǎng)穩(wěn)定度 | λs | CW，5mW@25℃ | -0.1nm | +0.1 | dB | |
邊模抑制比 | SMSR | CW, 5mW | 35 | ? | ? | nm |
光譜寬度(20dB) | ?λ | CW, 5mW | ? | 0.2 | nm/℃ | |
波長(zhǎng)隨溫度變化漂移系數(shù) | Δλ/T | 穩(wěn)定工作電流 | 0.1 | nm/℃ | ||
波長(zhǎng)隨電流變化漂移系數(shù) | Δλ/I | 穩(wěn)定工作溫度 | 0.01 | nm/mA | ||
熱敏電阻 | Rth | Ttherm = 25oC | 9.5 | 10 | 10.5 | k? |
注意:
氣體檢測(cè)中，根據(jù)HITRAN提供的吸收譜線(xiàn)數(shù)據(jù)，同一種氣體通常幾個(gè)吸收峰，客戶(hù)應(yīng)先根據(jù)自己的系統(tǒng)需要選擇最佳中心波長(zhǎng)位置。
〖?xì)怏w吸收參考表 〗
氣體成分 | 吸收波長(zhǎng) |
O2 | 761nm、764nm (VCSEL) |
HF | 1268.7nm、1273nm、1278nm |
H2O | 1368.59nm、1392nm |
NH3 | 1512nm |
C2H2 | 1532.68nm |
CO | 1567nm |
H2S | 1578nm |
Co2 | 1580nm、2.0um |
C2H4 | 1620nm、1627nm |
CH4 | 1647nm、1650.9nm、1653.7nm、1660nm |
HCl | 1742nm |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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