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紫銅基石墨烯薄膜 參考價(jià)：面議
形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm襯底：紫銅層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
PET基底石墨烯薄膜 參考價(jià)：面議
形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
二硫化鉬二硒化鎢 MoS2WSe2異質(zhì)結(jié) 參考價(jià)：面議
兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié)，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料
CVD石墨烯與CVD氮化硼異質(zhì)結(jié)構(gòu)（8片裝） 參考價(jià)：面議
CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer
CVD石墨烯與CVD氮化硼異質(zhì)結(jié)構(gòu)（4片裝） 參考價(jià)：面議
CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer
硅基底石墨烯薄膜（1*1cm） 參考價(jià)：面議
尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
二維異質(zhì)結(jié)材料（進(jìn)口） 參考價(jià)：面議
Substrate:Sapphire （c-cut）Quartz （Silica）TEM grids （please supply grids）Thermal ...
泡沫銅三維石墨烯 參考價(jià)：面議
三維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過化學(xué)氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體表面積大，導(dǎo)電性佳，質(zhì)...
金屬有機(jī)骨架材料（MOFs） 參考價(jià)：面議
金屬有機(jī)骨架材料（MOFs）是近十年來發(fā)展迅速的一種配位聚合物，具有三維的孔結(jié)構(gòu)，一般以金屬離子為連接點(diǎn)，有機(jī)配體位支撐構(gòu)成空間3D延伸，系沸石和碳納米管之外的...
自支撐三維石墨烯（已去鎳）（1cm*1cm） 參考價(jià)：面議
維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過化學(xué)氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體表面積大，導(dǎo)電性佳，質(zhì)量...
自支撐三維石墨烯（已去鎳）超輕 參考價(jià)：面議
材料簡介： 三維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過化學(xué)氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體表面積大，...
金屬有機(jī)骨架化合物（HKUST-1） 參考價(jià)：面議
形態(tài)：金屬有機(jī)骨架（MOF）外觀：藍(lán)色粉體粒徑（um）：10-20BET比表面積（m2/g）：≥1172孔隙體積（cm3/g）：0.57孔徑（nm）：0.6質(zhì)量...
石墨烯泡沫鎳 參考價(jià)：面議
The 3D Graphene Foam is deposited comformably onto Nickel foam foils by chemical...
銅基石墨烯薄膜（美國） 參考價(jià)：面議
CVD Graphene sheets have been deposited onto 50 micron thick Cu foils using modi...
金屬有機(jī)骨架化合物（ZIF-67） 參考價(jià)：面議
1. 制備方法A型：溶劑熱法B型：溶劑熱法+干燥150攝氏度（8小時(shí)） 2. 表征A型：形態(tài)：金屬有機(jī)骨架（MOFs）外觀：粉紫色粒徑：150-400 nmBE...
金屬有機(jī)骨架化合物（ZIF-8） 參考價(jià)：面議
金屬有機(jī)骨架化合物（Metal Organic Framework）-Zeolitic Imidazolate Framework-8 （ZIF-8）1. 制備...
2DNext大面積機(jī)械剝離單層材料（WSe2, WS2） 參考價(jià)：面議
德國2DNext大面積機(jī)械剝離單層材料（WSe2, WS2, MoS2）尺寸gt;75*75um尺寸：gt;75*75um德國2D Next主要提供機(jī)械剝離的超...
機(jī)械剝離單層二硫化鉬薄膜 參考價(jià)：面議
Monolayer molybdenum disulfide （1H-MoS?） flakes have been exfoliated from bulk m...
機(jī)械剝離單層二硒化鉬薄膜 參考價(jià)：面議
Monolayer molybdenum diselenide （1H-MoSe?） flakes have been exfoliated from bulk...
機(jī)械剝離單層二硒化錸薄膜 參考價(jià)：面議
Monolayer Rhenium diselenide flakes have been exfoliated from bulk ReSe? crystal...
機(jī)械剝離單層二硫化鎢薄膜 參考價(jià)：面議
Monolayer tungsten disulfide （1H-WS?） flakes have been exfoliated from bulk tung...
機(jī)械剝離單層二硒化鎢薄膜 參考價(jià)：面議
Monolayer tungsten diselenide （1H-WSe?） flakes have been exfoliated from bulk tu...
CVD轉(zhuǎn)移生長MX2單分子膜 參考價(jià)：面議
Substrate:Sapphire （c-cut）Quartz （Silica）TEM grids （please supply grids）Thermal ...
CVD缺陷生長二維層 參考價(jià)：面議
Newly acquired ion implantation accelerator unit allows 2Dsemiconductors USA to ...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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