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簡(jiǎn)介：硒化鉍晶體Bi2Se3（BismuthSelenide）晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：拓?fù)浣^緣體晶體結(jié)構(gòu)：菱面體晶胞參數(shù)：a=b=0.413,c=2.856nm,α=β=90#176;,γ=120#...

簡(jiǎn)介：硒化鎵晶體2H-GaSe（GalliumSelenide）晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.374nm,c=1.592nm,α=β=90#176;,γ=120...

簡(jiǎn)介：硒化鍺晶體GeSe（GermaniumSelenide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系晶胞參數(shù)：a=0.383nm,b=0.440nm,c=1.078nm,α=β=γ=90...

簡(jiǎn)介：二硒化鉿晶體HfSe2（HafniumSelenide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.3745nm,c=0.6160nm,α=β=90#176;,γ=1...

簡(jiǎn)介：硒化銦晶體In2Se3（IndiumSelenide）晶體尺寸：8-10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.398nm,c=18.89nm,α=β=90#176;,γ=120...

簡(jiǎn)介：二硒化鉬晶體2H-MoSe2（MolybdenumDiselenide）-P型晶體尺寸：~10毫米電學(xué)特性：P型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.329nm,c=1.289nm,α=β=...

簡(jiǎn)介：晶體尺寸：~6毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：取決于合金成分：a=b=0.31-0.33nmandc=1.21-1.29nm,α=β=90#176;,γ=120#176;晶體類型：合...

簡(jiǎn)介：硒化鎢鉬晶體MoWSe2（MolybdenumTungstenDiselenide）晶體尺寸：6毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：取決于合金成分：a=b=0.31-0.33nmandc...

簡(jiǎn)介：二硒化鈮晶體2H-NbSe2（NiobiumSelenide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：金屬，半導(dǎo)體（TC~7.2k）ChargeDensityWaves（CDW）system,Tcdw~33...

簡(jiǎn)介：二硒化鉑晶體PtSe2（PlatinumSelenide）晶體尺寸：2-3毫米電學(xué)性能：半金屬晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.375nm,c=0.506nm,α=β=90#176;,γ=12...