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1978年，Weiss等首-次從人中性粒細胞中分離出并獲得純化的天然殺菌/滲透增強蛋白分子（naturalbactericidal/permeability-increasingprotein，nBPI）。nBPI的相對分子質(zhì)量為55000，位于中性粒細胞溶酶體內(nèi)，屬于嗜天

地下水位監(jiān)測預警系統(tǒng)-一款維護成本低的雷達水位監(jiān)測站2023順豐包郵【TH-SW1】近年來，我國地表水水臟、水少的問題十分突出，工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)用水和生活飲用水等方面受到了嚴重的影響，充分利用地下水，合理有序的開發(fā)顯

RTO（蓄熱式焚燒爐）焚燒技術(shù)是治理VOCs的主要技術(shù)，其中RTO治理技術(shù)因治理效果好、運行穩(wěn)定、成本較低，被廣泛應用于各行各業(yè)的有機廢氣治理中。但與此同時，RTO的應用也出現(xiàn)了一些安全問題，尤其是RTO爆炸影響尤為

大多數(shù)學者認為，內(nèi)化反應和激活效應是分離的。最近Beutler等證實，具有特異性的抗TLR4多克隆抗體具有擬內(nèi)毒素的活性，從而認為LPS并非必須經(jīng)過內(nèi)化才可誘發(fā)信號轉(zhuǎn)導效應。Kitchens等證實，mCD14介導的LPS內(nèi)化的動力

KRI離子源應用于超高真空磁控濺鍍設備UHVSputter上海伯東代理美國KRI離子源應用于超高真空磁控濺鍍設備UHVSputter實現(xiàn)高質(zhì)量薄膜!超高真空環(huán)境的特征為其真空壓力低于10-8至10-12托,且在化學,物理和工程領域十分常見

考夫曼離子源創(chuàng)始人Dr.HaroldR.KaufmanKaufman博士1926年在美國出生,1951年加入美國NASA路易斯研究中心,60年考夫曼博士發(fā)明了電子轟擊離子推進器并以他的名字命名(考夫曼推進器).1969年美國航空航天學會AIAA授予他Ja

KRI離子源應用于磁控共濺鍍設備Co-sputter上海伯東代理美國KRI考夫曼離子源應用于磁控共濺鍍設備Co-sputter實現(xiàn)高質(zhì)量的復合式薄膜!磁控共濺鍍主要用于復合金屬或復合材料,通過分別優(yōu)化每一支磁控濺鍍槍(靶材)的功率

KRI離子源應用于電子束蒸鍍設備E-beamEvaporationSystem特殊的系統(tǒng)設計電子束沉積是一種實用且高度可靠的系統(tǒng),上海伯東某客戶電子束蒸鍍系統(tǒng)可針對量產(chǎn)使用單一大坩堝也可以有多個坩堝來達到產(chǎn)品多層膜結(jié)構(gòu),在基板乘

上海伯東代理美國KRI射頻離子源應用于多層膜磁控濺鍍設備Multilayersputter,通過使用KRI射頻離子源可實現(xiàn)基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度,并且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.膜基附著

Hampton等用巨噬細胞系RAW264.7細胞株研究LPS的內(nèi)化過程。他們先將LPS加入培養(yǎng)基，使培養(yǎng)基內(nèi)毒素濃度在納摩爾每升水平，然后加入RAW264.7細胞使其吸收4'-單磷酸脂質(zhì)AⅣA。在細胞攝取脂質(zhì)AⅣA的同時伴隨著溶酶體發(fā)生

石油化工、制藥、汽車制造、油氣罐區(qū)等行業(yè)在生產(chǎn)過程中會產(chǎn)生大量的揮發(fā)性有機物（VOCs），這些氣體直接排放到大氣中會造成嚴重的環(huán)境污染，同時也會受到環(huán)保部門的嚴重處罰。目前，RTO（蓄熱式焚燒爐）焚燒技術(shù)是

KRI離子源應用于金屬熱蒸鍍設備MetalThermalEvaporationSystem熱蒸發(fā)是物理氣相沉積PVD中常用方法.使用電加熱的蒸發(fā)源可用于沉積大多數(shù)的有機和無機薄膜,其中以電阻式加熱法為常見.這些蒸發(fā)源的優(yōu)點為它們可以提供一

KRi射頻離子源應用于車載攝像頭鏡片鍍膜工藝,實現(xiàn)車載鏡頭減反,塑膠鏡片增透車載鏡頭的鍍膜非常重要,鍍膜的核心用途就是增加透光率.xian進的鍍膜技術(shù)可以大限度地減少反光,通過減少光在折射界面的反射而增加光線的透

KRi大尺寸射頻離子源樹脂鏡片高性能AR工藝樹脂為手機行業(yè)目前常用的鏡片基材,為了減少鏡片反射,提升透過率,會在鏡片表面鍍AR增透膜(減反膜),它是一種硬質(zhì)耐熱氧化膜,可在特定波長范圍內(nèi)將元器件表面的反射率最小化.A

KRi射頻離子源應用于紅外截止濾光片IRCF工藝上海伯東某客戶為精密光學鍍膜產(chǎn)品生產(chǎn)商,生產(chǎn)過程中需在白玻璃上進行鍍膜.由于國產(chǎn)鍍膜設備在射頻和光控性能方面的限制,鍍制過程易出現(xiàn)溫漂現(xiàn)象,材料折射率不高,品質(zhì)無法