太陽能硅板檢測儀DJM-200C
【簡單介紹】
【詳細說明】
蔡康晶圓硅片缺陷觀測儀(DJM-200C),于對硅片的缺陷進行觀察,效果非常明顯,包括肉眼無法觀測的位錯、層錯、劃痕、崩邊等。
光伏硅片質(zhì)量檢測中,有很多項目,比如:破片、缺角、孔洞和翹曲等等。為什么會有這些檢測項目?有些項目很容易理解,比如:破片、缺角等不僅會影響賣相,還會造成后續(xù)電池片生產(chǎn)的問題,甚至影響轉換效率。但孔洞,尤其是很小很小的孔洞,似乎沒什么大不了。其實不然,新的研究表明,小小的孔會造成大大的問題。就好像千里之堤,毀于蟻穴。
晶圓檢測儀,多晶硅缺陷分析儀,太陽能硅板檢測儀,太陽能光伏單晶硅片缺陷分析 一:蔡康晶圓檢測儀,多晶硅缺陷分析儀,太陽能硅板檢測儀DJM-200C概述和硅片缺陷檢測方法和應用范圍: | ||||||||||||||||||||
(一)光伏硅片質(zhì)量檢測中,有很多項目,比如:破片、缺角、孔洞和翹曲等等。為什么會有這些檢測項目?有些項目很容易理解,比如:破片、缺角等不僅會影響賣相,還會造成后續(xù)電池片生產(chǎn)的問題,甚至影響轉換效率。但孔洞,尤其是很小很小的孔洞,似乎沒什么大不了。其實不然,的研究表明,小小的孔會造成大大的問題。就好像千里之堤,毀于蟻穴。 1.孔洞:大量存在,3~10um,人眼不易發(fā)現(xiàn)。必須用背光源。 孔洞的危害:經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)***,硅晶片上孔洞會造成加工成電池片的短路,降低電池片的轉換效率;如果因為硅片上的孔洞形成的短路塊剛好落在柵線上,就會造成大面積的短路,加大電池片的漏電流,影響轉換效率。所以必須檢測孔洞,一般人眼能分辨0.3mm以上的孔洞,0.003~0.01mm的孔洞只能借助與光學的檢測手段來實現(xiàn)。檢測時需采用高亮度的白色背光源,穿透力強的光經(jīng)過孔洞后,部分頻率的分量會使相機感光,形成藍綠色的成像。相機的像素分辨率需要做得很高,比如一個像素等于0.005mm,這樣有機會捕捉到3um~10um孔透過的光,并由軟件識別。 2.硅片翹曲或彎曲:不能忽視。硅片翹曲不僅使得做成電池片后尺寸不合乎要求,而且還會造成斷柵。 研究表明:因為硅片翹曲,做成電池片后,通過EL檢測,發(fā)現(xiàn)里面有絲狀裂紋或花斑,但做成模組后,花斑情況有改善。分析表明,因為電池片翹曲(根源上是硅片翹曲),在絲印時會造成印刷不均勻,形成斷柵。 硅片的翹曲需要采用3D的檢測方法,具體表征硅片翹曲的指標有TTV、MTV等等。檢測的方法可以采用將結構光(線激光)投射到硅片上,用相機進行拍照;通過軟件分析光線成像的幾何特征,可以計算出TTV、MTV等指標,跟標準值進行比對,可以得出硅片翹曲是否在可以接受的范圍。 以上兩點,是的研究發(fā)現(xiàn)。如果檢測不到位,“后果很嚴重"。電池片廠家在來料檢測上,不可不注意。 產(chǎn)品介紹: 蔡康晶圓硅片缺陷觀測儀(DJM-200C),于對硅片的缺陷進行觀察,效果非常明顯,包括肉眼無法觀測的位錯、層錯、劃痕、崩邊等。 實時對圖像進行分析、測量和統(tǒng)計,提高傳統(tǒng)光學儀器的使用內(nèi)涵。配合投影儀和計算機等顯示、存儲設備,能更好的觀測和保存研究結果; 硅片缺陷觀測儀-產(chǎn)品特點 ■適用于對硅片的缺陷觀察效果,非常明顯,包括肉眼無法觀測的位錯、層錯、劃痕、崩邊等; ■使硅片缺陷觀察工作簡單化,準確化,同時極大程度降低此項工作強度; ■實時對圖像進行分析、測量和統(tǒng)計,提高傳統(tǒng)光學儀器的使用內(nèi)涵。配合投影儀和計算機等顯示、存儲設備,能更好的觀測和保存研究結果; ■使用 數(shù)字CCD攝像機 感光芯片,具有體積小,技術,像素較高,成像清晰、線條細膩、色彩豐富; ■傳輸接口為 USB2.0高速接口,軟件模塊化設計; ■有效分辨率為 1000萬像素; ■所配軟件能兼容 windows 7和 windows XP 操作系統(tǒng)。 | ||||||||||||||||||||
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蔡康晶圓缺陷分析儀DJM-200C,太陽能單晶硅片缺陷分析 | ||||||||||||||||||||
(三)蔡康太陽能光伏單晶硅片缺陷分析儀技術介紹和儀器組成 一、大平臺太陽能硅片缺陷分析金相顯微鏡儀器的主要用途和特點 | ||||||||||||||||||||
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太陽能光伏單晶硅片缺陷分析儀DJM-200C | ||||||||||||||||||||
(二)蔡康硅片缺陷分析儀DJM-200C性能特點和系統(tǒng)組成: 1. 蔡康單晶硅缺陷分析儀DJM-200C利用工業(yè)級彩色高速攝象器進行圖像或者視頻采集,高倍蔡康光學單晶硅片顯微鏡放大成像,圖像快速顯示于計算機,直接實時觀察熔深焊接形貌,利用專用軟件進行熔深測量處理,形態(tài)統(tǒng)計分析,并打印出熔深分析報告。 | ||||||||||||||||||||
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1.硅片缺陷分析儀DJM-200 2.電腦適配鏡 3.數(shù)字彩色攝像機4.單晶硅片分析測量系統(tǒng) 5.計算機(選購) | ||||||||||||||||||||
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